[供求]2ED2388S06F半桥栅极驱动器、BGA10H1MN9 射频放大器 4G/5G
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1、2ED2388S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于英飞凌的SOI技术，具有出色的耐用性和抗扰性，能够在瞬态电压下在VS引脚上高达-11VDC的负电压（VCC = 15 V）下保持操作逻辑。
特性
独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
负抗扰度与-100 V的瞬态抗扰度
为自举操作设计的浮动通道
工作电压（VS节点）高达+ 650 V
+ 675 V的最大自举电压（VB节点）
集成超快速、低电阻自举二极管
100 ns死区时间，集成直通防止逻辑
VS引脚上的逻辑工作电压最高可达–11V
–5V输入的负电压容差
两个通道独立欠压锁定
具有迟滞的施密特触发器输入
兼容3.3 V、5 V和15 V输入逻辑
最大电源电压为25 V
DSO-8封装
符合RoHS标准
应用
照明和控制
工业照明（大功率）
电机控制
通用逆变器
2、BGA10H1MN9 是一款专为4G和5G应用而设计的射频放大器，覆盖2.3至2.7 GHz之间的3GPP频段（例如B7和B41）。由于高增益和超低噪声系数，LNA前端的损耗可以得到补偿，数据速率可以得到显著提高。MIPI接口提供对多种增益模式和偏置模式的全面控制，以提高整体系统动态范围。
特性
频率范围从2.3到2.7 GHz
功率增益:19.7 dB
低噪声系数:0.8 dB
低功耗:6.0 mA
获得对MediaTek、LSI和高通平台的模式支持
MIPI·RFFE 3.0
RF输出内部匹配50ω
支持1.2 V和1.8 V VDD/VIO
软件可编程MIPI RFFE USID公司
支持4个USIDs
小尺寸1.1毫米x 1.1毫米
符合RoHS和WEEE标准的封装
应用
LTE/5G智能手机和工业应用
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