供求：NTMFS5C460NLT1G，NVTFS5C673NLTAG，NVD3055-094T4G-VF01【晶体管】
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！【MOSFET 晶体管】NTMFS5C460NLT1G，NVTFS5C673NLTAG，NVD3055-094T4G-VF01（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
一、NTMFS5C460NLT1G：MOSFET - 功率，单路，N 沟道 40V
产品说明：NTMFS5C460NLT1G 是一款 40V，4.5mΩ 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
二、NVTFS5C673NLTAG：功率 MOSFET 60V 单 N 沟道
产品说明：NVTFS5C673NLTAG 是一款 60V、9.8mΩ 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，采用 3x3mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：880 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
三、NVD3055-094T4G-VF01：表面贴装型 N通道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta） DPAK
产品说明：NVD3055-094T4G-VF01 是一款 60V，94mΩ N通道功率 MOSFET 晶体管，专为电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压、高速开关应用而设计。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：94 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DPAK
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：NTMFS5C460NLT1G，NVTFS5C673NLTAG，NVD3055-094T4G-VF01【晶体管】，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
页:
[1]