供求 NTHL065N65S3F / NVTFS027N10MCLTAG / NTMFS5C670NLT1G【MOSFET 晶体管】
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！（供应，回收）NTHL065N65S3F / NVTFS027N10MCLTAG / NTMFS5C670NLT1G【MOSFET 晶体管】
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
一、NTHL065N65S3F：650V N 通道功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V供求
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4075 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：337W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
二、NVTFS027N10MCLTAG：100V 单N 通道功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 38µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
三、NTMFS5C670NLT1G：60V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），61W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
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