具有场截止技术IGB50N60TATMA1、IGW50N60H3FKSA1 (600V) IGBT 晶体管
明佳达电子/星际金华（供应）（回收）具有场截止技术IGB50N60TATMA1、IGW50N60H3FKSA1 (600V) IGBT 晶体管，如有需要，请联系陈先生qq 1668527835 咨询，或把库存清单直接发送到：chen13410018555@163.com 邮箱上，我们收到后会尽快与您取得联络。
1、该IGBT通过应用沟道顶部单元和场截止技术，TRENCHSTOP™ IGBT系列显著改善了IGBT器件的动态和静态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的结合则进一步将导通损耗降到了最低。该系列IGBT平衡了开关损耗和导通损耗，从而达到了最高效率。
晶体管：IGB50N60TATMA1
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：333 W
开关能量：2.6mJ
输入类型：标准
栅极电荷：310 nC
25°C 时 Td（开/关）值：26ns/299ns
测试条件：400V，50A，7 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3-2
2、IGW50N60H3FKSA1 600V IGBT是高频开关应用的理想选择，在开关损耗和能效方面表现卓越。HighSpeed3 H3系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。非常适用于包括焊接逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及所有硬开关应用和软开关应用。
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A
功率 - 最大值：333 W
开关能量：2.36mJ
输入类型：标准
栅极电荷：315 nC
25°C 时 Td（开/关）值：23ns/235ns
测试条件：400V，50A，7 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
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