（IGBT模块）FF600R12ME4B72，FF200R12KT4，FF200R12KE4（供求）
（IGBT模块）FF600R12ME4B72，FF200R12KT4，FF200R12KE4（供求）深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
一、FF600R12ME4B72：IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200V 1200A 20mW 底座安装 模块
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1200 A
功率 - 最大值：20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）：3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：37 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
二、FF200R12KT4：IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200V 320A 1100W 底座安装 模块
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：320 A
功率 - 最大值：1100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）：5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：14 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
三、FF200R12KE4：IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200V 240A 1100W 底座安装 模块
IGBT 类：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：240 A
功率 - 最大值：1100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）：5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：14 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
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