N 通道 NTMFS4C05NT1G NTMFS4C55NT1G MOSFET 晶体管
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封装：QFN8、DFN
批次：最新
参数FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 4.5 V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1972 pF @ 15 V 功率耗散（最大值） 770mW（Ta），33W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型
应用ORing电机驱动器DC-DC转换器电源负载开关电池管理高端计算
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