供求TRENCHSTOP™ IGBT：IGP30N65H5XKSA1、IGW30N60H3FKSA1绝缘栅晶体管
（明佳达）（星际金华）供求TRENCHSTOP™ IGBT：IGP30N65H5XKSA1、IGW30N60H3FKSA1绝缘栅晶体管，价格优于同行，如有需要，欢迎联系陈先生洽谈：qq 1668527835，或者把库存清单直接发送到：chen13410018555@163.com 邮箱上，等待专业评估人员估价后回信。1、IGP30N65H5XKSA1 IGBT 单管 650V 55A 188W 通孔 PG-TO220-3
新型的TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能，重新界定了“业界卓著”IGBT。该新系列是IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。
器件参数
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值：188 W
开关能量：280µJ（开），100µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：70 nC
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/177ns
测试条件：400V，15A，23 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3
基本产品编号：IGP30N65
2、IGW30N60H3FKSA1 IGBT 沟槽型场截止 600V 通孔 PG-TO247-3-1
描述：采用TO247封装的高速单通道TRENCHSTOP™3 IGBT在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似MOSFET的关断开关行为，从而降低关断损耗。
器件参数
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值：187 W
开关能量：1.38mJ
输入类型：标准
栅极电荷：165 nC
25°C 时 Td（开/关）值：21ns/207ns
测试条件：400V，30A，10.5 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
基本产品编号：IGW30N
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