mjddz 发表于 2023-11-6 11:00

QXR2230P 片上系统(SoC) QAR2130P,IPTG111N20NM3FD(N通道晶体管)

QXR2230P:物联网芯片 片上系统(SoC)
说明:QXR2230P 用作基于 Snapdragon® XR2 Gen 2 SoC。
QXR2230P 主要功能:
独立 VR 平台
2.56 x 2.56 K 双面板 microOLED
可调节近视度数的平板透镜
房间尺度 6 DoF 头部跟踪
手部追踪
眼球追踪
视频透视
分割渲染
6 DoF 控制器


QAR2130P:物联网芯片 片上系统(SoC)
产品说明:QAR2130P 是一款基于 Snapdragon® AR2 Gen 1 SoC 的开发套件,可用于 SW 开发和测试,帮助客户构建下一代智能查看器设备。
QAR2130P 主要功能:
无线系留智能查看器
带波导的双 LCoS 显示屏
房间尺度 6 DoF 头部跟踪
手部追踪
眼球跟踪


IPTG111N20NM3FD:N通道晶体管 200V,单FET,MOSFET,表面贴装型
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A(Ta),108A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.1 毫欧 @ 96A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):81 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7000 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),375W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HSOG-8-1
封装/外壳:8-PowerSMD,鸥翼


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(供应,求购)元器件:QXR2230P,QAR2130P,IPTG111N20NM3FD。
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