mjddz 发表于 2023-9-4 09:56

[供求] RTS5441E-GR,BCM6715XB0KRFBG,SGT120R65AL 元器件

深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件!
(供应,求购)元器件:RTS5441E-GR,BCM6715XB0KRFBG,SGT120R65AL。
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RTS5441E-GR:Type-C 电源传输控制器,该多路复用开关的带宽超过 10Gbps,可用于 Type-C 插头翻转操作。
型号:RTS5441E-GR
封装:QFN
类型:Type-C 电源传输控制器
集成微处理器
支持无晶体应用
集成 3.3V 输出 LDO
线缆方向检测
连接后,Type-C 电流模式检测/配置为 DFP
OCP 检测和处理
内置 VCONN 开关,具有过流保护功能,支持高达 300mA 电流
内置 10Gbps 4:2 通道多路复用器开关,支持 USB3.1 Gen1/Gen2 信号切换
内置 8 位 SAR ADC,可监控 VBUS 电压
ADC 的数字自动扫描和比较器块有助于快速响应系统报警


BCM6715XB0KRFBG是一款 4x4 IEEE 802.11ax release 2 Wi-Fi 6/6E MAC/PHY/radio 片上系统 (SoC) 器件。
型号:BCM6715XB0KRFBG
封装:BGA
类型:片上系统 (SoC)
支持 IEEE 802.11a/b/g/n/ax release 2 Wi-Fi 6/6E 的 4 个空间流
可选择 2.4GHz、5GHz、6GHz 支持
高达 160 MHz 的信道带宽
所有频段的 1024-QAM 调制速率
自动频率协调 (AFC)
上行和下行 OFDMA 增加了拥堵环境中的 Wi-Fi 容量
上行和下行 MU-MIMO
在发送和接收方向均支持 LDPC,以扩大无线覆盖范围
零等待 DFS
DPD 外部 FEM 可降低系统功耗


SGT120R65AL是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶体管,采用了成熟的封装技术。
型号:SGT120R65AL
封装:8-PowerVDFN
类型:MOSFET 晶体管
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 5A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):3 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):125 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN

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